IRFH5300TRPBF vs IRFH5015TRPBF Comparación
Comparación detallada lado a lado de IRFH5300TRPBF por Infineon y IRFH5015TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IRFH5300TRPBF | IRFH5015TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,45 | $0,62 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 40 A | 10 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 336 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 50 nC | 33 nC |
| Power Dissition at TA=25C | 3.6 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 250 W | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +150C | — |
| Encapsulado | PQFN-8 (5x6 mm) | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (StrongIRFET) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Gate Drive Level | Logic-level (5V optimized) | — |
| JEDEC Qualification | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 31 mOhm |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 156 W |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | — | 10 V |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| Temperatura de funcionamiento | — | -55C to +150C (TJ max) |