IRFH5300TRPBF vs IRFH5015TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFH5300TRPBF par Infineon et IRFH5015TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFH5300TRPBF | IRFH5015TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,45 | $0,62 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 40 A | 10 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 336 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 50 nC | 33 nC |
| Power Dissition at TA=25C | 3.6 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 250 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | PQFN-8 (5x6 mm) | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (StrongIRFET) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Gate Drive Level | Logic-level (5V optimized) | — |
| JEDEC Qualification | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 31 mOhm |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 156 W |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | — | 10 V |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C (TJ max) |