IRFH7084TRPBF vs IRFH8318TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFH7084TRPBF por Infineon y IRFH8318TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFH7084TRPBF IRFH8318TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,45 $0,48
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C (TJ) —
Encapsulado 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 1
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH8318TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 120 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 41 nC
Power Dissipation (Ta) — 3.6 W
Power Dissipation (Tc) — 59 W
Temperatura de funcionamiento — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes
Description — Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters

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