IRFH7084TRPBF vs IRFH8318TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFH7084TRPBF par Infineon et IRFH8318TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFH7084TRPBF IRFH8318TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,45 $0,48
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ) —
Boîtier 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH8318TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 120 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 41 nC
Power Dissipation (Ta) — 3.6 W
Power Dissipation (Tc) — 59 W
Température de fonctionnement — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes
Description — Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters

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