IRFH7084TRPBF vs IRFH8318TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFH7084TRPBF 제조: Infineon 및 IRFH8318TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFH7084TRPBF | IRFH8318TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.45 | $0.48 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | StrongIRFET™ (trench MOSFET) | StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) | 100 A | — |
| Silicon-Limited Drain Current | 265 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 156 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.25 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 0.95 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 1.7 V to 2.7 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) max @ 25V | 6560 pF | — |
| 동작 온도 범위 | -55°C to +175°C (TJ) | — |
| 패키지 | 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) | PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | 1 | 1 |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Compliant | — |
| RthJC max | 0.96 °C/W (per datasheet) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRFH8318TRPBF |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 120 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 41 nC |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 59 W |
| 동작 온도 | — | -55°C to +150°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Description | — | Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters |