IRFH7084TRPBF vs IRFH8318TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH7084TRPBF por Infineon e IRFH8318TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH7084TRPBF IRFH8318TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,45 $0,48
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ) —
Encapsulamento 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 1
Status RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH8318TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 120 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 41 nC
Power Dissipation (Ta) — 3.6 W
Power Dissipation (Tc) — 59 W
Temperatura de operação — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes
Description — Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters

Fichas técnicas e recursos

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