IRFH8318TRPBF vs IQDH35N03LM5CGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFH8318TRPBF por Infineon y IQDH35N03LM5CGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFH8318TRPBF IQDH35N03LM5CGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $1,45
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH8318TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 120 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 41 nC —
Power Dissipation (Ta) 3.6 W —
Power Dissipation (Tc) 59 W —
Encapsulado PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nivel MSL 1 1
Description Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V)
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Sin halógenos — Yes
Channel Type — N-Channel

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