IRFH8318TRPBF vs IQDH35N03LM5CGATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRFH8318TRPBF от Infineon и IQDH35N03LM5CGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IRFH8318TRPBF | IQDH35N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,48 | $1,45 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRFH8318TRPBF | — |
| Technology | StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 120 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 41 nC | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 59 W | — |
| Корпус | PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55°C to +150°C | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Уровень MSL | 1 | 1 |
| Description | Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 °C to +175 °C |
| Без галогенов | — | Yes |
| Channel Type | — | N-Channel |