IRFH8318TRPBF vs IQDH35N03LM5CGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH8318TRPBF por Infineon e IQDH35N03LM5CGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH8318TRPBF IQDH35N03LM5CGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $1,45
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH8318TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 120 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 41 nC —
Power Dissipation (Ta) 3.6 W —
Power Dissipation (Tc) 59 W —
Encapsulamento PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55°C to +150°C —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nível MSL 1 1
Description Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V)
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C
Livre de halogênio — Yes
Channel Type — N-Channel

Fichas técnicas e recursos

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