IRFR1205TRPBF vs BSP88H6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR1205TRPBF por Infineon y BSP88H6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR1205TRPBF BSP88H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,49 $0,21
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) SIPMOS (planar enhancement mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado TO-252AA (DPAK) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
Temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

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