IRFR1205TRPBF vs BSP88H6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR1205TRPBF por Infineon e BSP88H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR1205TRPBF BSP88H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,49 $0,21
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) SIPMOS (planar enhancement mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
Temperatura de operação — -55 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação