IRFR1205TRPBF vs BSP88H6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR1205TRPBF par Infineon et BSP88H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR1205TRPBF BSP88H6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $0,21
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) SIPMOS (planar enhancement mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-252AA (DPAK) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
Température de fonctionnement — -55 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Fiches techniques et ressources

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