IRFR1205TRPBF vs IRFR2405TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR1205TRPBF por Infineon y IRFR2405TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR1205TRPBF IRFR2405TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,49 $0,61
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC 70 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C -55C to +175C
Encapsulado TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
Nivel MSL — 1
Sin halógenos — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

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