IRFR1205TRPBF vs IRFR2405TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR1205TRPBF par Infineon et IRFR2405TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR1205TRPBF IRFR2405TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $0,61
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC 70 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
Niveau MSL — 1
Sans halogène — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Fiches techniques et ressources

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