IRFR220NPBF vs IRFR2405TRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR220NPBF por Infineon y IRFR2405TRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR220NPBF IRFR2405TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,74 $0,55
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado / Carcasa TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) Yes (HEXFET ruggedized design)
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A (typical, per datasheet family)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Encapsulado — TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
Packaging — Tape & Reel (TR)

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