IRFR220NPBF vs IRFR2405TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR220NPBF par Infineon et IRFR2405TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR220NPBF IRFR2405TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,55
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier / Format TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) Yes (HEXFET ruggedized design)
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A (typical, per datasheet family)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Boîtier — TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
Packaging — Tape & Reel (TR)

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