IRFR220NPBF vs IRFR2405TRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR220NPBF メーカー: Infineon および IRFR2405TRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF - 55V 56A N-Ch HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRFR2405TRLPBF - 55V 56A N-Ch HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRFR2405TRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR220NPBF IRFR2405TRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.74 $0.55
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
パッケージ / ケース TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) Yes (HEXFET ruggedized design)
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A (typical, per datasheet family)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
パッケージ — TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
Packaging — Tape & Reel (TR)

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