IRFR220NPBF vs IRFR2405TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR220NPBF por Infineon e IRFR2405TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR220NPBF IRFR2405TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $0,55
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento / Caixa TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) Yes (HEXFET ruggedized design)
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A (typical, per datasheet family)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Encapsulamento — TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
Packaging — Tape & Reel (TR)

Fichas técnicas e recursos

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