IRFR3607TRPBF vs IRLR2905TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR3607TRPBF por Infineon y IRLR2905TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR3607TRPBF IRLR2905TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,39 $0,61
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 75 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 56 A —
Calculated Die Drain Current 80 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) 56 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD, Tc) 140 W —
Thermal Resistance (RthJC) 1.0 C/W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) —
Encapsulado TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar DMOS) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Avalanche SOA Fully characterized —
RoHS / Lead-Free Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 27 mOhm
Gate Charge (Qg) — 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive — Logic-level compatible

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