IRFR3607TRPBF vs IRLR2905TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3607TRPBF par Infineon et IRLR2905TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR3607TRPBF IRLR2905TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,39 $0,61
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 75 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 56 A —
Calculated Die Drain Current 80 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) 56 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD, Tc) 140 W —
Thermal Resistance (RthJC) 1.0 C/W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) —
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar DMOS) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Avalanche SOA Fully characterized —
RoHS / Lead-Free Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 27 mOhm
Gate Charge (Qg) — 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive — Logic-level compatible

Fiches techniques et ressources

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