IRFR3607TRPBF vs IRLR2905TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR3607TRPBF por Infineon e IRLR2905TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR3607TRPBF IRLR2905TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,39 $0,61
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 75 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 56 A —
Calculated Die Drain Current 80 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) 56 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD, Tc) 140 W —
Thermal Resistance (RthJC) 1.0 C/W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar DMOS) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Avalanche SOA Fully characterized —
RoHS / Lead-Free Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 27 mOhm
Gate Charge (Qg) — 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive — Logic-level compatible

Fichas técnicas e recursos

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