IRFR4620TRLPBF vs IRFR3806TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR4620TRLPBF por Infineon y IRFR3806TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR4620TRLPBF IRFR3806TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,72 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFR4620TRLPBF —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 24 A at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 78 mOhm max at VGS=10V —
Gate Charge (Qg) 25 nC typical —
Power Dissipation (PD) 144 W at Tc —
Technology IR MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
Encapsulado / Carcasa TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Lead Free Yes —
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL 1 (Unlimited) —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — 22 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET family)

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