IRFR4620TRLPBF vs IRFR3806TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR4620TRLPBF par Infineon et IRFR3806TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR4620TRLPBF IRFR3806TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,72 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFR4620TRLPBF —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 24 A at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 78 mOhm max at VGS=10V —
Gate Charge (Qg) 25 nC typical —
Power Dissipation (PD) 144 W at Tc —
Technology IR MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
Boîtier / Format TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +175C —
Lead Free Yes —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 (Unlimited) —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — 22 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET family)

Fiches techniques et ressources

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