IRFR4620TRLPBF vs IRFR3806TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR4620TRLPBF от Infineon и IRFR3806TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF - 60V 43A N-Ch HEXFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR3806TRPBF - 60V 43A N-Ch HEXFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR3806TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR4620TRLPBF IRFR3806TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,72 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFR4620TRLPBF —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 24 A at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 78 mOhm max at VGS=10V —
Gate Charge (Qg) 25 nC typical —
Power Dissipation (PD) 144 W at Tc —
Technology IR MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
Корпус / Типоразмер TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура -55C to +175C —
Lead Free Yes —
Статус RoHS Compliant —
Уровень MSL 1 (Unlimited) —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — 22 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
Диапазон рабочих температур — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET family)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену