IRFR5305TRLPBF vs IRFR120NTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR5305TRLPBF por Infineon y IRFR120NTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR5305TRLPBF IRFR120NTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,38 $0,62
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET IR MOSFET (HEXFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") —
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 9.4 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 210 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
Rango de temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Avalanche Energy Rated — Yes (fully avalanche rated)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free)

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