IRFR5305TRLPBF vs IRFR120NTRLPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR5305TRLPBF 제조: Infineon 및 IRFR120NTRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFR5305TRLPBF IRFR120NTRLPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.38 $0.62
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
동작 접합 온도 -55C to +175C —
패키지 TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET IR MOSFET (HEXFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") —
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 9.4 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 210 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
동작 접합 온도 범위 — -55C to +175C
Avalanche Energy Rated — Yes (fully avalanche rated)
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free)

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