IRFR5305TRLPBF vs IRFR120NTRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR5305TRLPBF メーカー: Infineon および IRFR120NTRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFR5305TRLPBF IRFR120NTRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.38 $0.62
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET IR MOSFET (HEXFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") —
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 9.4 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 210 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
動作接合温度範囲 — -55C to +175C
Avalanche Energy Rated — Yes (fully avalanche rated)
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free)

データシート&リソース

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