IRFS4227TRLPBF vs IPT022N10NF2SATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFS4227TRLPBF por Infineon y IPT022N10NF2SATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFS4227TRLPBF IPT022N10NF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,38 $0,99
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc = 25C 62 A —
Maximum Power Dissipation (PD) @ Tc = 25C 330 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS = 10V 26 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±30 V —
Configuration Single with built-in diode —
Case Connection DRAIN —
Technology HEXFET, IR MOSFET Trench MOSFET
Encapsulado D2PAK (TO-263), surface mount PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +150C (TJ) -55C to +175C
Nivel MSL 1 (unlimited) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Key Application PDP Sustain / Energy Recovery Switch —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — StrongIRFET 2
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 236 A
Typical RDS(on) at VGS=10V — 2.2 mΩ
Power Dissipation at Ta — 3.8 W
Power Dissipation at Tc — 250 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]

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