IRFS4227TRLPBF vs IPT022N10NF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFS4227TRLPBF par Infineon et IPT022N10NF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFS4227TRLPBF IPT022N10NF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,38 $0,99
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc = 25C 62 A —
Maximum Power Dissipation (PD) @ Tc = 25C 330 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS = 10V 26 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±30 V —
Configuration Single with built-in diode —
Case Connection DRAIN —
Technology HEXFET, IR MOSFET Trench MOSFET
Boîtier D2PAK (TO-263), surface mount PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40C to +150C (TJ) -55C to +175C
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Key Application PDP Sustain / Energy Recovery Switch —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — StrongIRFET 2
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 236 A
Typical RDS(on) at VGS=10V — 2.2 mΩ
Power Dissipation at Ta — 3.8 W
Power Dissipation at Tc — 250 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]

Fiches techniques et ressources

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