IRFU5305PBF vs IRLR120NTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFU5305PBF por Infineon y IRLR120NTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFU5305PBF IRLR120NTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $0,27
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -110 A (pulsed) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 65 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (typical) 13.3 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 110 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.36 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 62 °C/W —
Encapsulado IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes (EAS rated) —
RoHS Compliance Compliant —
FET Type — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (Fifth Generation, planar)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 10 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed Idm]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 185 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 48 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (junction)
Avalanche Energy Rating — Fully avalanche rated
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)
Nivel MSL — 1

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