IRFU5305PBF vs IRLR120NTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFU5305PBF par Infineon et IRLR120NTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFU5305PBF IRLR120NTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $0,27
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -110 A (pulsed) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 65 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (typical) 13.3 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 110 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.36 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 62 °C/W —
Boîtier IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount
Type de montage Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes (EAS rated) —
RoHS Compliance Compliant —
FET Type — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (Fifth Generation, planar)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 10 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed Idm]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 185 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 48 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
Avalanche Energy Rating — Fully avalanche rated
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)
Niveau MSL — 1

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