IRFU5305PBF vs IRLR120NTRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFU5305PBF メーカー: Infineon および IRLR120NTRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR120NTRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFU5305PBF IRLR120NTRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.68 $0.27
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -110 A (pulsed) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 65 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (typical) 13.3 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 110 W —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.36 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 62 °C/W —
パッケージ IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount
実装タイプ Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes (EAS rated) —
RoHS Compliance Compliant —
FET Type — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (Fifth Generation, planar)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 10 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed Idm]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 185 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 48 W
動作温度範囲 — -55C to +175C (junction)
Avalanche Energy Rating — Fully avalanche rated
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)
MSLレベル — 1

データシート&リソース

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