IRFU5305PBF vs IRLR120NTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFU5305PBF por Infineon e IRLR120NTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFU5305PBF IRLR120NTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $0,27
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -110 A (pulsed) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 65 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (typical) 13.3 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 110 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.36 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 62 °C/W —
Encapsulamento IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes (EAS rated) —
RoHS Compliance Compliant —
FET Type — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (Fifth Generation, planar)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 10 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed Idm]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 185 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 48 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (junction)
Avalanche Energy Rating — Fully avalanche rated
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)
Nível MSL — 1

Fichas técnicas e recursos

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