IRFZ44NPBF vs IRF530NSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFZ44NPBF por Infineon y IRF530NSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFZ44NPBF IRF530NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,89
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A 17 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC 24.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado TO-220AB (3-pin + tab) —
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (Planar Stripe Cell)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Estado RoHS Compliant —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 100 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 90 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 70 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Package Type — D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free / RoHS Compliant
Qualification Market — Industrial

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