IRFZ44NPBF vs IRF530NSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFZ44NPBF par Infineon et IRF530NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFZ44NPBF IRF530NSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,89
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A 17 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC 24.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-220AB (3-pin + tab) —
Type de montage Through Hole Surface Mount
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (Planar Stripe Cell)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Statut RoHS Compliant —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 100 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 90 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 70 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Package Type — D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free / RoHS Compliant
Qualification Market — Industrial

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