IRFZ44NPBF vs IRF530NSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFZ44NPBF por Infineon e IRF530NSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFZ44NPBF IRF530NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,89
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A 17 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC 24.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-220AB (3-pin + tab) —
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (Planar Stripe Cell)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Status RoHS Compliant —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 100 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 90 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 70 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Package Type — D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free / RoHS Compliant
Qualification Market — Industrial

Fichas técnicas e recursos

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