IRFZ44NSTRLPBF vs FQP50N06 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFZ44NSTRLPBF por Infineon y FQP50N06 por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFZ44NSTRLPBF FQP50N06
Marca Infineon onsemi
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,93 $0,58
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 49 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 17.5 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (TC) 94 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55C to +175C (junction)
Encapsulado D2PAK (TO-263) TO-220-3 (through-hole)
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET Planar Stripe DMOS
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Manufacturer — onsemi (formerly Fairchild Semiconductor)
Part Number — FQP50N06
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
Maximum Power Dissipation (PD) at Tc — 120 W
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) max]
On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V — 0.022 ohm
Channel Mode — Enhancement
Lead-Free — Yes

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