IRFZ44NSTRLPBF vs FQP50N06 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFZ44NSTRLPBF par Infineon et FQP50N06 par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFZ44NSTRLPBF FQP50N06
Marque Infineon onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,93 $0,58
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 49 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 17.5 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (TC) 94 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C (junction)
Boîtier D2PAK (TO-263) TO-220-3 (through-hole)
Type de montage Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET Planar Stripe DMOS
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Manufacturer — onsemi (formerly Fairchild Semiconductor)
Part Number — FQP50N06
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
Maximum Power Dissipation (PD) at Tc — 120 W
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) max]
On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V — 0.022 ohm
Channel Mode — Enhancement
Lead-Free — Yes

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