IRFZ44NSTRLPBF vs FQP50N06 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFZ44NSTRLPBF por Infineon e FQP50N06 por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFZ44NSTRLPBF FQP50N06
Marca Infineon onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,93 $0,58
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 49 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 17.5 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (TC) 94 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55C to +175C (junction)
Encapsulamento D2PAK (TO-263) TO-220-3 (through-hole)
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET Planar Stripe DMOS
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Manufacturer — onsemi (formerly Fairchild Semiconductor)
Part Number — FQP50N06
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
Maximum Power Dissipation (PD) at Tc — 120 W
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) max]
On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V — 0.022 ohm
Channel Mode — Enhancement
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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