IRFZ48NPBF vs IRL3705NPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFZ48NPBF por Infineon y IRL3705NPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFZ48NPBF IRL3705NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,92
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 14 mΩ (maximum) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC —
Power Dissipation (PD) at TC 130 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado TO-220AB (through-hole) TO-220AB (3-pin through-hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (advanced planar) HEXFET (planar cell, fifth generation)
Lead-Free (PBF suffix) Yes Yes
Estado RoHS Compliant Compliant (per PBF suffix)
Qualification Standard Industrial market —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 89 A
Corriente de drenador pulsada — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc — 170 W
On-Resistance R_DS(on) — 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V)
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Q_g — 65.3 nC
Maximum Junction Temperature — 175 C
Gate Drive Level — Logic-level
Avalanche Rated — Yes (ruggedized single-pulse avalanche)

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