IRFZ48NSTRLPBF vs IRLB4030PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFZ48NSTRLPBF por Infineon y IRLB4030PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFZ48NSTRLPBF IRLB4030PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,18 $3,10
FET Type N-Channel Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 87 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V]
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-220AB
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
Estado RoHS Compliant Compliant
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (PD) at Tc — 370 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Technology — HEXFET (StrongIRFET family)
Logic Level Drive — Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS)
Qualification — JEDEC

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