IRFZ48NSTRLPBF vs IRLB4030PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFZ48NSTRLPBF par Infineon et IRLB4030PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFZ48NSTRLPBF IRLB4030PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $3,10
FET Type N-Channel Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 87 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V]
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-220AB
Type de montage Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
Statut RoHS Compliant Compliant
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (PD) at Tc — 370 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Technology — HEXFET (StrongIRFET family)
Logic Level Drive — Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS)
Qualification — JEDEC

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