IRL2910STRRPBF vs IRL2910STRLPBF Comparación
Comparación detallada lado a lado de IRL2910STRRPBF por Infineon y IRL2910STRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IRL2910STRRPBF | IRL2910STRLPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,95 | $0,98 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | IR MOSFET™ (Planar HEXFET) | HEXFET (Infineon/IR) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 55 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10 V | 26 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 200 W | — |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55 °C to +175 °C | — |
| Encapsulado | D2PAK (TO-263) Surface Mount | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Terminal Finish | Matte Tin over Nickel | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Yes (PBF suffix) | — |
| Nivel MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 55 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V | — | 26 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | Logic-level (1V-2V) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 93.3 nC |
| Power Dissipation @ TA=25C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation @ TC=25C | — | 200 W |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55C to +175C (TJ) |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Sin halógenos | — | Compliant (per GlobalSpec) |