IRL2910STRRPBF vs IRL2910STRLPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRL2910STRRPBF 제조: Infineon 및 IRL2910STRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRL2910STRRPBF | IRL2910STRLPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.95 | $0.98 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | IR MOSFET™ (Planar HEXFET) | HEXFET (Infineon/IR) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 55 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10 V | 26 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 200 W | — |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| 동작 접합 온도 | -55 °C to +175 °C | — |
| 패키지 | D2PAK (TO-263) Surface Mount | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Terminal Finish | Matte Tin over Nickel | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Yes (PBF suffix) | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 55 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V | — | 26 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | Logic-level (1V-2V) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 93.3 nC |
| Power Dissipation @ TA=25C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation @ TC=25C | — | 200 W |
| 동작 온도 범위 | — | -55C to +175C (TJ) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| 할로겐 프리 | — | Compliant (per GlobalSpec) |