IRL3705NPBF vs IRFZ48NPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRL3705NPBF por Infineon y IRFZ48NPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRL3705NPBF IRFZ48NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,92 $0,65
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 89 A —
Corriente de drenador pulsada [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc 170 W —
On-Resistance R_DS(on) 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V) —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Q_g 65.3 nC —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Technology HEXFET (planar cell, fifth generation) HEXFET (advanced planar)
Encapsulado TO-220AB (3-pin through-hole) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Gate Drive Level Logic-level —
Avalanche Rated Yes (ruggedized single-pulse avalanche) —
Lead-Free (PBF suffix) Yes Yes
Estado RoHS Compliant (per PBF suffix) Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 64 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 14 mΩ (maximum)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 54 nC
Power Dissipation (PD) at TC — 130 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Qualification Standard — Industrial market

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización