IRL3705NPBF vs IRFZ48NPBF 比較

詳細な並列比較: IRL3705NPBF メーカー: Infineon および IRFZ48NPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF - 55V 64A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRFZ48NPBF - 55V 64A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRFZ48NPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRL3705NPBF IRFZ48NPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.92 $0.65
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 89 A —
パルスドレイン電流 [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc 170 W —
On-Resistance R_DS(on) 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V) —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Q_g 65.3 nC —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Technology HEXFET (planar cell, fifth generation) HEXFET (advanced planar)
パッケージ TO-220AB (3-pin through-hole) TO-220AB (through-hole)
実装タイプ Through Hole Through Hole
Gate Drive Level Logic-level —
Avalanche Rated Yes (ruggedized single-pulse avalanche) —
Lead-Free (PBF suffix) Yes Yes
RoHS ステータス Compliant (per PBF suffix) Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 64 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 14 mΩ (maximum)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 54 nC
Power Dissipation (PD) at TC — 130 W
動作接合温度 — -55C to +175C
Qualification Standard — Industrial market

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