IRLML2030TRPBF vs IRLML6346TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLML2030TRPBF por Infineon y IRLML6346TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLML2030TRPBF IRLML6346TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,14 $0,18
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLML2030TRPBF —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 1.3 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 100 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 154 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Charge (Qg) typ 1.0 nC —
Encapsulado Micro3 (SOT-23) Micro3 / SOT-23
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) —
Nivel MSL MSL 1 1
RoHS Compliance Yes (lead-free, halogen-free) —
Qualification JEDEC standard —
Soldering Wave-solder compatible —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 3.4 A (TA=25C)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=2.5V — 63 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Drive Capability — 2.5V logic-level
Maximum Power Dissipation (PD) — 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4)
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +150C
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
Estado RoHS — Compliant

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