IRLML2030TRPBF vs IRLML6346TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRLML2030TRPBF メーカー: Infineon および IRLML6346TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF - 30V N-Ch HEXFET MOSFET, 2.7A | Infineon

IRLML2030TRPBF - 30V N-Ch HEXFET MOSFET, 2.7A | Infineon

IRLML2030TRPBF ✓ 生産中
Infineon
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRLML2030TRPBF IRLML6346TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.14 $0.18
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLML2030TRPBF —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 1.3 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 100 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 154 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Charge (Qg) typ 1.0 nC —
パッケージ Micro3 (SOT-23) Micro3 / SOT-23
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55C to +150C (junction) —
MSLレベル MSL 1 1
RoHS Compliance Yes (lead-free, halogen-free) —
Qualification JEDEC standard —
Soldering Wave-solder compatible —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 3.4 A (TA=25C)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=2.5V — 63 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Drive Capability — 2.5V logic-level
Maximum Power Dissipation (PD) — 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4)
動作接合温度 — -55C to +150C
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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