IRLML2030TRPBF vs IRLML6346TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRLML2030TRPBF от Infineon и IRLML6346TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRLML2030TRPBF | IRLML6346TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,14 | $0,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRLML2030TRPBF | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 2.7 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 1.3 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 100 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | 154 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 1.0 nC | — |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) | Micro3 / SOT-23 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55C to +150C (junction) | — |
| Уровень MSL | MSL 1 | 1 |
| RoHS Compliance | Yes (lead-free, halogen-free) | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Soldering | Wave-solder compatible | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 3.4 A (TA=25C) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | 63 mOhm |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Drive Capability | — | 2.5V logic-level |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) |
| Рабочая температура перехода | — | -55C to +150C |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |
| Статус RoHS | — | Compliant |