IRLZ44NPBF vs IRFZ44NPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLZ44NPBF por Infineon y IRFZ44NPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLZ44NPBF IRFZ44NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $0,65
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V) —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A —
Total Gate Charge (Qg) 32 nC 42 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 110 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.4 °C/W —
Encapsulado TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (3-pin + tab)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (advanced process) HEXFET (Advanced Process)
Logic-Level Gate Drive Yes (fully enhanced at VGS=5V) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 17.5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

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